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[发明专利]一种硫属化合物及其制备方法-CN201910429437.X有效
发明人：白音孟和;舍乐木格;杜翠霞 -专利权人：内蒙古师范大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硫属化合物及其制备方法，涉及硫属化合物制备技术领域。本发明提供的硫属化合物分子式为Cs3Sb5Se9，为含有碱金属的硒代锑酸盐，进一步地，其结构中Sb原子具有少见的六配位和三配位两种配位模式；因此，本发明提供了一种硫属化合物，对新型硫属化合物的研究具有极其重要的意义。本发明提供了以上硫属化合物的制备方法，本发明首次使用多元胺溶剂体系，采用溶剂热法合成了客体阳离子为碱金属的硫属化合物Cs3Sb5Se9，其中多元胺溶剂体系可降低反应的温度，并提高金属硫属化合物的溶解性，从而更利于获得新型金属硫属化合物。
一种化合物及其制备方法

[发明专利]获得经n型掺杂的金属硫属化合物量子点固态膜的方法及包括所获得的膜的光电子器件-CN202010351660.X在审
发明人：耶拉西莫斯·康斯坦塔投斯;伊尼戈·拉米罗;奥努尔·厄兹德米尔 -专利权人：光子科学研究所基金会;卡塔拉纳调查及高级研究学院
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于获得经n型掺杂的金属硫属化合物量子点固态膜的方法，所述方法包括：形成金属硫属化合物量子点固态膜；对金属硫属化合物量子点固态膜的多个金属硫属化合物量子点实施n型掺杂工艺以使其表现出带内吸收，所述工艺包括在多个金属硫属化合物量子点中用卤素原子部分取代硫属元素原子，以及在多个金属硫属化合物量子点上设置一物质以避免金属硫属化合物量子点的氧p型掺杂。本发明还涉及一种光电子器件，所述光电子器件包括：根据所述方法获得的经n型掺杂的金属硫属化合物量子点固态膜(A)；和与该膜(A)的两个相应的间隔开的区域物理接触的第一电极(E1)和第二电极(E2)。
获得掺杂金属化合物量子固态方法包括光电子器件

[发明专利]一种硫属化合物纳米片及其制备方法-CN201810812703.2有效
发明人：许小红;杨欢;王芳 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明属于过渡金属硫属化合物的制备领域，具体涉及一种硫属化合物纳米片及其制备方法。所述硫属化合物纳米片的组成为CrGeX
制备硫属化合物纳米六方晶体结构过渡金属硫属化合物六边形纳米片形貌阳离子置换惰性气体晶体结构纳米片有机液母液籽晶合成调控生产

[发明专利]一种高定向过渡金属硫属化合物纳米带生长的方法-CN202110818515.2有效
发明人：张艳锋;杨鹏飞 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高定向过渡金属硫属化合物纳米带生长的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔置于钨箔上，熔融固化后，得到金单晶；2)将过渡金属氧化物粉末放置在金/钨基底上游；3)将硫属单质放置于氧化物粉末的上游；4)通入氩气，将基底、氧化物和硫属单质分别加热至不同温度，之后恒温，数分钟后在基底上生长得到高定向的过渡金属硫属化合物纳米带阵列。本发明以金单晶作为生长基底，生长过渡金属硫属化合物纳米带，能够通过控制过渡金属硫属化合物纳米带的取向，实现过渡金属硫属化合物纳米带阵列的生长，是一种实现高定向过渡金属硫属化合物纳米带生长的方法。
一种定向过渡金属化合物纳米生长方法

[发明专利]硫属化合物随机存取内存及其制造方法-CN200410097103.0有效
发明人：薛铭祥;陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种硫属化合物随机存取内存的制造方法是先提供已有下电极的基底，再于基底上依序形成硫属化合物层及相对于上述下电极的图案化掩模，再利用图案化掩模，对硫属化合物层进行离子注入制程，使部分硫属化合物层转变成改质区，并确保图案化掩模底下的硫属化合物层没有被掺杂物质注入，而使其成为未改质区，其中改质区的传导率低于未改质区的传导率。因为利用如离子注入制程的改质处理，故可缩小硫属化合物层与下电极间的接触面积，进而降低硫属化合物随机存取内存的操作电压。
化合物随机存取内存及其制造方法

[发明专利]一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法-CN201810309093.4在审
发明人：陈金菊;刘陈仁浪;冯哲圣;王焱;李培真 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法。针对现有的过渡金属硫属化合物纳米薄片油墨浓度低、稳定性差，导致使用和存放不便的问题，本发明的技术方案是，制备方法包括如下步骤：[1]选取两种剥离溶剂，配制成二元良溶剂体系；[2]向二元良溶剂体系中加入水溶性高分子化合物，得到混合溶剂；[3]将通过超声剥离的方法从过渡金属硫属化合物粉体上剥离出过渡金属硫属化合物的纳米薄片；[4]离心分离，取上清液即为过渡金属硫属化合物纳米薄片分散液；[5]加入物性调节剂得到过渡金属硫属化合物油墨本发明适用于过渡金属硫属化合物二维材料的喷墨印刷。
过渡金属硫属化合物油墨纳米薄片喷墨印刷制备二维材料高稳定良溶剂水溶性高分子化合物制备技术领域物性调节剂剥离溶剂超声剥离混合溶剂取上清液分散液粉体剥离

[发明专利]含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法-CN200510118210.1无效
发明人：曾卉一;黄锦顺;郭国聪;郑发鲲;董振超 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法，涉及一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ₂ (A＝Li，Na，K，Rb，Cs；Tr＝Ga，In；Q＝S，Se，Te)的合成与晶体生长本发明的目的是将一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ₂的合成与助熔剂晶体生长技术结合起来。选择碱土金属硫属化合物、镓或铟的硫属化合物或卤化物以及适当的碱金属卤化物反应助熔剂为原料，通过反应助熔剂方法制备并生长一类含碱金属、镓或铟硫属化合物ATrQ₂晶体。
碱金属化合物晶体生长方法

[发明专利]一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法-CN201610959284.6有效
发明人：曹文田 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法，纳米半导体光折变薄膜材料，包括金属薄膜和铅的硫属化合物薄膜，所述金属薄膜的一面与铅的硫属化合物薄膜的一面接触，其中，所述金属薄膜的金属的功函数大于等于所述铅的硫属化合物薄膜半导体的电子亲合能，或所述金属薄膜与所述铅的硫属化合物薄膜的接触界面形成肖特基结。制备方法，在衬底上生长一层透明的金属薄膜，然后在所述金属薄膜上生长一层铅的硫属化合物薄膜半导体材料。本发明采用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜接合，并在用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜的界面形成肖特基结，从而在薄膜内形成内建电场，对光生载流子移动和再分布，不需外加电场，完全达到光折变材料应用目的。
一种纳米半导体折变薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种稀土硫属化合物的制备方法-CN200710008882.6无效
发明人：郭胜平;郭国聪;李强;邹建平 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：一种稀土硫属化合物的制备方法，涉及稀土硫属化合物的合成。本制备方法采用硫属元素单质、稀土氧化物为原料，在真空高温条件下反应，得到稀土硫属化合物，本方法的特征在于：在合成稀土硫属化合物的反应体系中加入稍过量于化学反应量的硼。
一种稀土化合物制备方法

[发明专利]一种硫属化合物管状材料的制备方法-CN202110974033.6在审
发明人：杨佳;张君;王薇;侯堪文;黄滔;张雅婷;杨海艳;曹成松;徐宝强;李绍元;杨斌;马文会;熊恒;蒋文龙;李一夫;田阳;刘大春;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C01B17/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫属化合物管状材料的制备方法，属于光电材料制备技术领域。本发明将固体硫族元素原料放置在双温区炉反应器的低温加热区，将金属原料放置在双温区炉反应器的高温硫化反应区，采用惰性气体进行洗气，然后对低温加热区的固体硫族元素原料和高温硫化反应区的金属原料进行加热，低温加热区的固体硫族元素原料释放气态硫族元素与高温硫化反应区的金属原料反应生成气相硫属化合物，气相硫属化合物在基底上冷凝即得硫属化合物管状材料。本发明硫属化合物管状材料的制备工艺简单，可大规模生产，硫属化合物管状材料的比表面积大，能够更好的捕集光子，加速光生载流子的传输速率，适合应用于光电半导体领域。
一种化合物管状材料制备方法

[发明专利]一种过渡金属硫属化合物的制备方法-CN200710009433.3无效
发明人：郭胜平;郭国聪;邹建平 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： C01B17/20 文献下载
摘要：一种过渡金属硫属化合物的制备方法，涉及过渡金属硫属化合物的合成。本制备方法采用硫属元素单质、过渡金属的含氧化合物为原料，在真空、高温条件下反应，得到过渡金属硫属化合物，本方法的特征在于：在合成过渡金属硫属化合物的反应体系中加入稍过量于化学反应量的硼。
一种过渡金属化合物制备方法

[发明专利]一种图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法-CN201810056222.3有效
发明人：王学雯;刘锴;侯纪伟;洪圣哲 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法。该方法包括以下步骤：制备一基底，该基底具有一基底表面且该基底表面包括一第一图案化表面和一第二图案化表面，形成该第一图案化表面的材料为氧化物或氮化物，形成该第二图案化表面的材料为云母；在所述基底表面形成一单层的二维过渡金属硫属化合物纳米材料；以及将该基底和二维过渡金属硫属化合物纳米材料在含氧气氛中进行退火，且通过控制退火温度使得只有该第二图案化表面的二维过渡金属硫属化合物纳米材料被氧化去除，而该第一图案化表面的二维过渡金属硫属化合物纳米材料形成一图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料
一种图案二维过渡金属化合物纳米材料制备方法

[发明专利]一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法-CN202010036398.X有效
发明人：张艳锋;杨鹏飞;潘双嫄 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔置于钨箔上，熔融后固化，得到单晶金(111)；2)将过渡金属氧化物粉末放置在金(111)/钨基底正下方；3)将硫属单质放置于基底的上游；4)通入氩气，将基底和硫属单质分别加热至不同温度，之后恒温，数分钟后在基底上生长得到单一取向的单层过渡金属硫属化合物，延长时间即可得到晶圆级单晶过渡金属硫属化合物单层薄膜。本发明以金(111)作为生长基底，外延生长单晶过渡金属硫属化合物薄膜，能够通过控制过渡金属硫属化合物的畴区取向，实现同一取向畴区的无缝拼接，是一种实现晶圆级单层过渡金属硫化物单晶的方法。
一种晶圆级过渡金属化合物生长方法

[发明专利]一种基于吸湿材料的湿度探测装置-CN202210118035.X在审
发明人：刘翡琼 -专利权人：刘翡琼
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及湿度探测领域，具体提供了一种基于吸湿材料的湿度探测装置，凹槽设置在基底的表面，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，二维过渡金属硫属化合物层覆盖凹槽，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧，吸湿材料部置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的顶部。应用时，将本发明置于待测空间内，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现待测湿度探测。本发明具有湿度探测灵敏度高的优点。
一种基于吸湿材料湿度探测装置

[发明专利]一种用于光蒸发水的含半导体硫属化合物复合半透膜、其制备方法及用途-CN201710458177.X有效
发明人：陶富军;张玉良;施磊;王斌斌;李丽;董丽华;尹衍升 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B01D71/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光蒸发水的含半导体硫属化合物复合半透膜、其制备方法及用途，该方法包含：步骤1，采用纤维素硝酸酯制备半透膜前驱体溶液；步骤2，将镉硫属化合物添加至上述前驱体溶液中，搅拌均匀，得混合溶液；步骤3，将上述混合溶液平铺在平底容器上，自然干燥成膜，制备出含镉硫属化合物半透膜；步骤4，将含镉硫属化合物半透膜置于硝酸银溶液浸泡一段时间；步骤5，将上述浸泡过的含镉硫属化合物半透膜取出，自然晾干，制备出含半导体硫属化合物复合半透膜
一种用于蒸发半导体化合物复合半透膜制备方法用途

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